天津大学建筑设计规划研究总院有限公司全程设计的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目主体顺利封顶
8 月 10 日，以“筑基万亿，向芯而行”为主题的拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目主体封顶仪式在沈阳浑南区项目现场隆重举办。本项目全程设计由天津大学建筑设计规划研究总院有限公司（以下简称 “天大设计总院”）承担。本次仪式由拓荆科技主办、中建八局协办，是国内集成电路产业领域极具代表性的标杆活动。天大设计总院总经理、总建筑师谌谦带队，副总经理刘毓杰及项目设计团队代表赴现场出席盛典。
本次活动嘉宾阵容多元、产业覆盖面广：拓荆科技（建设单位）、天大设计总院（设计单位）、中建八局（施工单位）、北京兴电（监理单位）、上海申元（咨询单位）等各参建单位负责人悉数到场；半导体行业协会、产业投资机构、国内半导体龙头企业及产业链上下游配套企业代表齐聚现场，共同见证国产高端半导体装备产业园主体结构顺利封顶。
仪式启动后，拓荆科技董事长吕光泉博士首先致辞。他向各参建单位、长期助力项目建设的各界同仁致以诚挚谢意，同时分享了对项目建设的期许：本次主体封顶既是工程建设的关键节点，也是拓荆科技冲刺 “千亿产值、万亿市值” 发展目标的重要依托，更是企业由国内行业领军者向全球一流半导体装备企业迈进的坚实基石。吕光泉博士在讲话中多次高度认可天大设计总院专业实力，充分肯定设计团队为项目推进提供的核心支撑。
谌谦总经理在致辞中系统梳理了项目全周期设计攻坚历程，详细介绍了环形研发楼、高等级洁净厂房的技术创新成果，同步明确后续全周期技术服务保障举措。谌谦总经理代表设计总院郑重表态：主体封顶是项目建设的阶段性胜利，更是提质创优、冲刺竣工的全新起点，项目即将全面开展机电安装、洁净车间专项施工、内外装饰及配套管网施工，多专业交叉作业集中，施工精度与管控标准将进一步提升。设计团队将坚守匠心，持续落实深化设计、图纸优化、现场技术交底等配套工作，高效衔接各施工工序，以高标准专业服务保障项目高品质落地。
致辞环节结束后，业主单位、各参建单位与行业协会主要嘉宾共同上台推动启动推杆，正式启幕封顶仪式。在现场万众瞩目之下，吊装设备平稳作业，项目最后一根钢梁精准吊装就位，礼炮声声响彻现场，拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目主体封顶仪式圆满落幕。
作为拓荆科技扩产提质、稳固国内晶圆制造设备供应链安全的战略工程，本项目占地147亩，总建筑面积15.6万平方米，总投资近20亿元，涵盖研发测试中心、高标准洁净厂房、智能仓储及综合配套设施。项目标志性建筑1号环形研发楼外径180米、内径135米，单体建筑面积7万平方米，天大设计总院团队创新采用层间隔震混合结构体系，兼顾异形大空间造型、结构抗震安全与工程建设成本；3、4号洁净厂房对标全球顶级精密制造标准，针对微振动抑制、无尘环境管控、复杂管线综合排布等技术难点实现多项设计突破。
自项目启动以来，设计团队坚持“技术前置、全程服务”工作方针，跨专业统筹骨干设计力量，一体化推进项目全周期设计工作。建设期间，团队常态化对接施工现场，提前预判各类技术问题、动态优化施工图纸，联动施工、监理、咨询单位协同破解现场技术难题，保障项目按期达成主体封顶节点。项目全面投产后，预计拓荆科技薄膜沉积设备产能将提升四倍，可吸引近3000名高端半导体技术人才集聚沈阳，有效弥补国内高端芯片制造装备产能短板，为半导体装备产业技术迭代、构建自主可控完整产业链提供坚实硬件支撑。
本次封顶仪式受到多家主流媒体重点关注，辽宁卫视、沈阳电视台等媒体开展全程实地采访，并于当日晚间黄金档《辽宁新闻》推出专题报道。报道深度阐释该基地在扩充国产半导体装备产能、完善辽宁集成电路产业集群布局方面的战略意义；项目的成功推进，也充分展现出天大设计总院在高端集成电路产业园领域雄厚的综合设计能力。
封顶启新程，筑芯向未来。下一阶段，设计团队将充分发挥总院综合技术优势，全程跟进项目后续建设环节，联合各参建单位同心协作、合力攻坚，加快推进项目竣工投产。未来，天大设计总院将持续深耕集成电路、高端装备制造产业园设计领域，持续输出高品质创新设计方案，以专业设计赋能国产半导体产业高质量发展，为我国集成电路产业链自主自强不断贡献天大设计智慧与力量。
项目介绍
拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目坚持“总部导向、交流无限、生产高效、生活多彩”的设计思路，努力打造半导体行业标志性的总部园区形象。
“无限之环”：通过圆形研发楼成功化解场地不规则痛点，结合圆形研发楼下方架空景观的打造，营造“天人合一”的自然神韵。
“零壹格局”：通过对研发楼、生产车间的“0”“1”赋形，传递企业研发到生产“从无到有”的升华过程，“零”为研发交流空间，“壹”为生产实验空间，寓意吻合。
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“涟漪绿院”：营造全景互动绿谷，通过“海星”水系的设计，做到水景的最大化渗透，结合研发楼的底层架空、健康跑道及体育设施的融入，形成“绿色、互动、健康”的院落空间。
“拓荆气质”：研发楼以稳重的基座承托上方的玻璃形体，外观设计极具科技感；生产车间呈现模块化，体现效率性；生活区建筑简洁灵动，凸显建筑活力。园区整体形象体现企业的文化感、科技感、未来感。
“结构创新”：采用三四五层钢桁架整体结构，首二层钢筋混凝土结构，中间设置隔震支座的创新型混合结构模式，办公区设备穿钢梁，在保证净高的同时，将五层研发楼建筑高度控制在24米以下，体现结构科技性、经济性、开放性。
项目信息
项目名称丨拓荆科技高端半导体设备产业化基地建设项目
建设单位丨拓荆科技股份有限公司
设计单位丨天津大学建筑设计规划研究总院有限公司
项目类型丨科研生产园区
项目地点丨沈阳市浑南区
项目规模丨15.6万平方米
项目负责人丨张超
技术指导丨祝捷、张键、安海玉、于敬海、沈优越、王丽文、刘晓龙、吕晨
设计部门丨设计六院、原上设计工作室、复杂结构研究中心、设计一院、景观设计一院、宋佳音工作室
创作团队丨郑涛、于炜光、张瑞英、冯学慧、张晓旭、陈恺、董振斌、李嘉伟、宋佳音
技术团队丨赵敬美、王磊、张之文、陆义、陆洪深、张海滨、杨洋、刘明飞、孟玲玲、李嘉伟、张艳华、孙晴雯、陈红广、柏新予、范炜玮、李晓梅、赵庆宇、刘畅、李明、韩康、张金海、王湘安、李远、曹宇、于泳、王亨、杨兴元、刘平、梁云龙、李明、王品才、郭欣h、张强、涂岱昕、崔文谦、张啸、王晓、杜新萌、杨廷武、韩瀛、吴绍卿、张轩、徐玲、赵玉龙、归庆娟、田阔、刘P昊、马子l、刘月阳、高元鹏